英特尔代工业务：离“重返行业巅峰”又近一步？

2023-11-03 14:13 来源：中国电子报沈丛

近日，英特尔发布2023年第三季度财报，总体业绩同比仍在下降，但是代工业务却上涨了299%，同时，在Intel 3和Intel 18A先进制程节点上，多了三家大客户。英特尔在第三季度财报说明中表示：一家重要客户承诺采用Intel 18A和Intel 3制程，并支付了预付款；此外，在Intel 18A制程节点上，又与两家专注于高性能计算领域的客户进行了签约。

一切似乎离英特尔代工业务“要在2025年重返行业巅峰”又近了一步。

高通、英伟达入围“疑似合作伙伴”

“我们要在2025年重返行业巅峰！”

在2021年的英特尔制程工艺和封装技术线发布会上，英特尔CEO帕特·基辛格许下了这一“鸿鹄之志”。此后，英特尔加码先进制程，甚至在整体业绩大幅度下滑的情况下，依旧大力发展代工产业。而这样义无反顾的努力，似乎正在得到回报。

业内专家莫大康曾向《中国电子报》记者表示，在先进制程方面，台积电、三星、英特尔均具备很强的实力，三家都有希望在2025年实现2nm工艺。而真正使三家拉开差距的，是市场的认可度以及客户的数量，在这方面，台积电暂时处于领先状态。

随着英特尔在代工方面不懈努力，其客户方面似乎迎来了转折点。

业内猜测，此次与英特尔在Intel 18A制程节点建立合作关系的客户，有可能包含高通和英伟达。

英特尔曾公开表示，在Intel 20A制程节点上将为高通提供代工服务。同时，英特尔在此前宣布，将与ARM携手开发Intel 18A制程，使基于ARM CPU内核的芯片设计公司能够利用Intel 18A制程工艺开发低功耗SoC，而高通也是ARM的主要客户之一。因此业内猜测，此次英特尔财报中表示的Intel 18A制程新增客户，也许会有高通的身影。

此外，英特尔在财报中所提到承诺采用Intel 18A和Intel 3的客户，有可能是英伟达。早在英特尔发布的2022全年以及2023第一季度财报中便提到：英特尔代工服务(IFS)新增一位领先的云计算、边缘和数据中心解决方案提供商客户，将采用Intel 3制程。这对于企业的描述，与英伟达十分吻合。而在此后不久，英伟达CEO黄仁勋公开表示，已经收到了基于英特尔下一代工艺节点制造的测试芯片，测试结果良好，并指出，对未来与英特尔在人工智能芯片方面的合作持开放态度。同时，记者也从可靠渠道获悉，英特尔有望为英伟达提供其最先进的制程代工服务。因此，英伟达也有可能与英特尔在Intel 18A制程节点中开展合作。

台积电、三星开启“守擂”模式

昔日的“王者”要回归，自然有所忌惮的台积电、三星开启了“守擂”模式。

近日，台积电CEO魏哲家在2023年第三季度法说会上，公开表示台积电的N3P制程（台积电先进版3纳米系列之一）的PPA（性能、功耗、面积指标）与Intel 18A旗鼓相当，还表示台积电的2nm制程也将和英特尔的Intel 18A一样采用GAA工艺架构，并且采用比Intel 18A还强大的背面供电技术。甚至还表示，台积电的2nm制程将在2025年推出，届时将成为业内最领先的芯片产品。

英特尔PowerVia背面供电技术测试芯片（来源：英特尔公司）

此外，台积电首席财务官黄仁昭在第三季度法说会电话会议上表示，台积电预计2023年全年资本支出为320亿美元，其中70%用于先进制程（5 纳米及以下）设备的采购和研发等。可见，在先进制程方面，台积电同样予以重金保证。

与此同时，英特尔的第二大竞争对手三星也在紧锣密鼓地发展先进制程。近日，三星代工厂副总裁Jeong Gi-Tae公开介绍了1.4nm的最新进展，并表示三星即将推出的 SF1.4（1.4 nm）工艺技术将把纳米片的数量从3个增加到4个，此举有望为芯片的性能和功耗带来显著提升。在客户方面，Jeong Gi-Tae透露，针对三星未来的2nm和1.4nm工艺，正在与大客户进行洽谈。

三星制程路线图（来源：三星官网）

关键突破口仍是良率

面对老牌劲旅台积电、三星的防守，英特尔能否“重返行业巅峰”，关键还是在于良率。现在看来，各家有关先进制程的竞争，焦点在良率，关键在技术。

据了解，此前，受AI大模型需求推动，以GPU为主的AI芯片需求激增，台积电在短期内获得了大量英伟达等AI芯片企业的急单。业内专家表示，仅台积电一家难以满足当下庞大的先进制程代工市场需求，这也给了三星、英特尔等其他具备先进制程代工能力的企业一个展示自我的机会。而英特尔能否最终将这一机会掌握在自己手中，还需要看芯片的良率能否达到客户的预期。

随着芯片制程节点接近物理极限，技术难度越来越高，良率问题也愈发凸显。甚至台积电最新一代3nm工艺据悉只有55%的良率，这也导致其客户苹果只按可用芯片支付台积电费用。而采用3nm工艺的苹果手机，也出现了发热等问题。据悉，这也是3nm芯片中FinFEET架构造成的短沟道效益所导致的。